Topic outline

  • General

  • Partie 2 (Les méthodes d'élaborations)

    Objectif

    Les compétences apportées par cette matière portent principalement sur la maîtrise et le développement des méthodes d’élaborations des semi-conducteurs massifs et en couches minces.

    Cette deuxième partie du cours fait suite à la première partie déjà traitée au début de ce semestre, et qui avait pour thème : la production du silicium utilisée dans l’élaboration comme matière première.  

  • Partie 3 (Purification physique du silicium)

    Objectif

    Ce cours à pour objectif d’étudier, d’une part, les méthodes physiques de purification, qui permettent de réduire les effets nuisibles des impuretés sur le silicium polycristallin ; et d’autre part, les méthodes utilisées pour la caractérisation de ces impuretés.

  • Partie 4 (Etude de l'activité électrique des joints de grains dans le silicium polycristallin)

    Objectif

    L’activité électrique des joints de grains dans le silicium polycristallin, endommage fortement ses propriétés électriques, en limitant les performances photoélectriques des composants fabriqués à base de ce matériau. Le but de cette partie du cours est d’identifier ces défauts actifs pour les rendre passifs en utilisant des méthodes physiques, comme la caractérisation par la méthode du courant induit et la passivation par l'hydrogène.

  • TP: Etude expérimentale sur l'élaboration des couches minces par la technique d'évaporation thermique

    Objectif: 

    Ce TP concerne une étude expérimentale sur l'élaboration des couches minces. Pour permettre aux étudiants de bien l'assimiler, des notions sur les techniques du vide, ses différentes catégories et les moyens de sa réalisation expérimentale, ont été développées.Elles sont suivies par d'autres notions sur les techniques d'élaboration des couches minces. Ces deux techniques font partie du dispositif expérimental d'élaboration. 

    Prof. Noureddine BENSLIM

  • Partie 5 (Technologie du dopage)

    Objectif

    Cette cinquième et dernière partie du cours est consacrée à la technologie du dopage. Elle traite à ce titre, les différentes méthodes utilisées comme le dopage in situ, l’implantation ionique et le dopage par diffusion. Les différentes sources de dopage solides, liquides et gazeuses se trouvent développées dans cette partie du cours.

    A la fin de cette partie du cours, vous trouverez un travail à domicile N°2, que je vous demande de solutionner et de me le faire envoyer avec le travail à domicile N°1 au plus tard le 15 juin 2020 à l’adresse suivante : chibanialaoua@yahoo.com 

    Bon courage.

    Prof. A. Chibani 

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      • Topic 8

        • Topic 9