Aperçu des sections

  • Généralités

  • Chapitre 1 : Statistiques dans les semi-conducteurs

    Objectif

    Ce chapitre est destiné à apporter des notions nécessaires à la compréhension du comportement et de la distribution des dopants et des porteurs de charges dans les matériaux semi-conducteurs.

    Instruction

    Je vous demande de lire le contenu du chapitre 1 très attentivement et de ne pas rester prisonniers (ères) des formules, mais d’essayez de comprendre le phénomène physique qui se déroule à l’intérieur d’un semi-conducteur (à 0 K, à T>0 K, génération, recombinaison, éléments dopants, ionisation des atomes du réseau de base et des atomes dopants, électrons libres, électrons liés, trous libres, porteurs majoritaires et minoritaires,…..). La série 1, que je vous demande de solutionner va vous permettre de bien comprendre certains aspects du cours. Cependant, pour vous encourager à s’attarder sur le cours et sur la résolution de la série, je vous demande de m’envoyer par mail (b_hadjoudja@yahoo.fr) vos contributions personnelles de résolution de la série, au plus tard le 25 avril.

    A partir du 26 avril, vous aurez sur la plateforme : la solution de la série 1, le chapitre 2 et la série 2.

    Bonne lecture.

  • Chapitre 2 : Influence de la température sur la position du niveau de Fermi

    Objectif

    Ce chapitre est destiné à apporter des informations utiles sur le comportement du niveau de Fermi pour différentes gammes de températures. En effet, il est très important de connaître la position du niveau de Fermi, puisque cette position détermine d’une part la concentration des porteurs libres, qui conditionne toutes les propriétés de transport du cristal, et d’autre part, l’état de charge des additifs.

    Ce chapitre est accompagné de la série 2, que je vous demande de solutionner, et de m’envoyer par mail (b_hadjoudja@yahoo.fr) vos contributions personnelles, au plus tard le 03 mai.

    A partir du 04 mai, vous aurez sur la plateforme : la solution de la série 2, le chapitre 3 et la série 3.

    Bonne lecture.

    Prolongation

    L’envoi de vos contributions personnelles à la résolution de la série 2 est reporté au samedi 09 mai.

  • Chapitre 3 : Diffusion dans les semi-conducteurs

    Objectif

    L’objectif de ce chapitre est de familiariser l’étudiant avec la diffusion dans les semi-conducteurs, qui constitue l’une des principales techniques de dopage des matériaux semi-conducteurs.

    Ce chapitre est accompagné de la série 3, que je vous demande de solutionner, et de m’envoyer par mail (b_hadjoudja@yahoo.fr) vos contributions personnelles à la résolution de l’exercice 1, au plus tard le 21 mai.

    A partir du 22 mai, vous aurez sur la plateforme : la solution de la série 3, le chapitre 4 et la série 4.

    Bonne lecture.

  • Chapitre 4 : Propriétés électriques des semi-conducteurs

    Objectif

    L’objectif de ce chapitre est d’approfondir les connaissances de l’étudiant sur le transport des charges dans les semi-conducteurs et des différents courants électriques qui ont résultent.

    Ce chapitre est accompagné de la série 4, que je vous demande de solutionner, et de m’envoyer par mail (b_hadjoudja@yahoo.fr) vos contributions personnelles à la résolution de l’exercice 2, au plus tard le 1 juin.

    A partir du 2 juin, vous aurez sur la plateforme : la solution de la série 4 et le chapitre 5.

    Bonne lecture.

  • Chapitre 5 : Génération et recombinaison dans les semi-conducteurs

    Objectif

    Ce chapitre est destiné à apporter des notions nécessaires à la compréhension des phénomènes de génération et de recombinaison de paires électron-trou dans les semi-conducteurs. Dans le cadre de ce chapitre, on a surtout insisté sur la faible injection, où, seule la concentration des porteurs minoritaires se trouve fortement perturbée. En effet, dans la pratique, c’est la faible injection qui se produit en général.

    Bonne lecture.

  • Section 6

    • Section 7

      • Section 8